سامسونگ و افزایش سرمایه گذاری در صنعت نیمه هادی

شرکت سامسونگ یکی از تولیدکنندگان بزرگ صنایع نیمه هادی بوده که با کمپانی‌های مختلفی همکاری داشته تا بتواند در این عرصه حرف‌های بسیار برای گفتن داشته باشد و خودی نشان دهد. با دنیای بازی همراه باشید.

سامسونگ اخیراً منابع مالی سه ماهه خود را منتشر کرده است و تحلیلگران در Business Korea  در حال انتخاب آنها برای اندازه گیری موارد آینده هستند. با داشتن داستان‌های کمبود نیمه هادی که از سال ۲۰۲۰ تا امروز در اخبار بسیار شایع بود، خوب است که بشنویم سامسونگ برای جابجایی تراشه‌ها در سال ۲۰۲۱ و حتی پس از آن، بیشتر از قرارداد تراشه سازی Goliath از تایوان و TSMC، مبلغی را برای سرمایه گذاری در نظر گرفت.

انتظار می‌رود در سال ۲۰۲۱، سامسونگ ۳۵ تریلیون وون در توسعه و گسترش تاسیسات صنایع نیمه هادی خود سرمایه گذاری کند. این مبلغ، برای مرجع، تقریباً ۲۳ میلیارد پوند در زمان نوشتن است، از نظر مقیاس بسیار شبیه به سرمایه گذاری قابل توجه دولت انگلیس در زمینه بیماری کوید-۱۹ است.

سرمایه گذاری سامسونگ تقسیم شده و به تسهیلات مختلف در کشورهای  گوناگون می‎رسد. به عنوان مثال، تحلیلگران انتظار دارند که حدود دو سوم از پول نقد اختصاص یافته به تراشه‌های حافظه اختصاص یابد و یک سوم باقیمانده برای تراشه‌های سیستمی باشد. سامسونگ مانند کارخانه‌های چین و ایالات متحده، برای کارخانجات کره جنوبی هم سرمایه گذاری دارد.

به گفته این منبع، سامسونگ SoC ممکن است در یک “قرعه کشی غیر واقعی واقعاً زیاد” برای موبایل در حال اجرا باشد. با این حال، روزهای آغازین است و به نظر می‌رسد که برای نمونه اولیه به خصوص در تست‌های گرافیکی عملکرد خوبی دارد، از این رو ایده مورد اشاره بخشی از معرفی هسته‌های پردازنده گرافیکی Radeon به Exynos است. آخرین و نه مهمترین، منبعی که ITHome معتقد است در سه ماهه دوم امسال خبر بزرگی شنیده خواهد شد.

سامسونگ جدیدترین سری SSDهای SATA مصرفی خود را معرفی کرده است. SSDهای جدید سامسونگ ۸۷۰ EVO جدیدترین کنترلر و فلش NAND سامسونگ را به این سری محصولات اضافه می‌کند. نتیجه این است که ۸۷۰ EVO SATS SSD مصرف کننده “مطابق آزمایش داخلی سامسونگ” “۳۸ درصد عملکرد خواندن تصادفی بالاتر سرعت کارهای محاسباتی روزمره و ۳۰ درصد بهبود عملکرد پایدار را ارائه می‌دهد.

جزئیات خاصی در مورد کنترلر “جدید” ارائه نشده است، اما سامسونگ می‌گوید تراشه‌های ذخیره سازی فلش از اجزای سازنده ۳ بیتی MLC (TLC) V-NAND هستند. به لطف انتخاب جز component، کاربران از حداکثر سرعت خواندن و نوشتن متوالی SATA به ترتیب ۵۶۰ و ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه بهره مند خواهند شد. علاوه بر این، حافظه نهان DRAM، بافر متغیر بزرگ SLC و فناوری هوشمند TurboWrite درایو به حفظ اوج عملکرد خود کمک می‌کند.

در مقایسه با سری‌های قبلی، حافظه ۸۶۰ EVO SATA SSD، گفته می‌شود عملکرد خواندن تصادفی این سری جدید در کارهای رایج رایانه مانند چند وظیفه‌ای، مرور وب یا راه اندازی / راه اندازی مجدد قابل توجه است.

این حافظه در مدل ۴، ۲ و ۱ ترابایتی در کنار نسخه ۵۰۰ و ۲۵۰ گیگابایتی با قیمت پایه ۴۹.۹۹ دلار عرضه خواهد شد.